JIPE-45-04「SiC-MOSFET,GaN-FETインバータにおける放射妨害波の比較検討」
| パワーエレクトロニクス学会 Abstract | |
| 講演者名 : | ○齋藤 真（芝浦工業大学） |
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| 講演題目 : | 「SiC-MOSFET,GaN-FETインバータにおける放射妨害波の比較検討」（JIPE-45-04） |
| Abstract : | 本論文では，SiC－MOSFET，GaN－FETインバータの放射ノイズが従来のIGBTやSJ－MOSFETインバータとどのように異なるのかをTO－247で構成した3.7kW三相インバータ回路を用いたベンチマーク試験結果から述べる。また、筆者が提唱する”EMIノイズモデル”の視点からパワーデバイスによる放射ノイズの差異を検証する。 |
講演要旨（pdf、会員のみ）
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