講演者名 :
中村 孝、三浦 峰生、太田 真吾、○岡村 裕司、桐山 竜也（ローム）
講演題目 :
「SiC SBDの開発の現状」（JIPE-32-4）
Abstract :
トランジスタの開発によりノーベル賞受賞者となったウィリアムショックレー博士が1950年代にシリコンの次に来る半導体材料として予言したシリコンカーバイド(以下SiC)であるが、結晶成長の困難さから、なかなか実用に至らなかった。マイクロパイプに代表される貫通転移が大きな問題であったが、2006年には米国のメーカーから4インチのマイクロパイプフリーウェハの発表もあり、現在では0.5/cm2程度の高品質のウェハも購入できるようになった。
2001年に独Infineon社から600ボルト6アンペアのSiCショットキーバリアダイオード（以下SBD）が市販されるにいたり、ローム㈱も将来的に期待されるパワーエレクトロニクスの市場に参入するためSiCデバイスの開発を開始した。
講演要旨
（pdf、
会員のみ
）
