| 講演者名 : |
川島徹也，三島彰（日立製作所） |
| 講演題目 : |
「磁界・回路連成電源効率解析の電源用SiPへの適用」（JIPE-32-18） |
| Abstract : |
パワーMOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) を用いたスイッチング電源の性能はこれまで、オン抵抗、ゲート容量といったデバイス特性によって改善されてきた。しかし、大電流が流れる配線の短縮による導通損失の低減や、高周波化による受動部品削減など、電源性能の向上のためには実装面での検討が不可欠になりつつあり、設計段階でデバイス特性、実装条件両方を考慮した性能を予測可能なシミュレーション技術の重要性が高まっている。
本研究では、MOSデバイス特性と配線の寄生インピーダンス成分を高精度にモデル化し、電源効率、動作波形を高精度に解析可能な手法を開発した。以下ではその解析手法の概要と、電源用SiP (System in Package) への適用について述べる。 |
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