講演者名 : ○七森 公碩* 原田 敏和** 梅上 大勝*
山本 真義*
*島根大学大学院 総合理工学研究科 **島根大学 総合理工学部
The examination of recovery characteristics of the parallel connection SiC SBD
Kimihiro Nanamori*, Toshikazu Harada*, Hirokatsu Umegami*, Masayoshi Yamamoto*
講演題目 : SiC SBD の並列接続リカバリ抑制手法の検討
(JIPE-40-06)
Abstract : はじめに
近年,新素材デバイスの炭化ケイ素(SiC)の発達により,リカバリ電流の少ないSiC を用いた高耐圧のショットキーバリアダイオード( SBD )が注目を集めている。SiC SBD は 還流電流のあるアプリケーションにおいて,スイッチに並列に接続する形のリカバリ電流抑制手法で多く用いられてきた。この手法は,ボディダイオードを有するMOS 構造の半導体デバイスにSiC SBD を並列接続することでボディダ イオードに電流を流さないようにし,導通損失及びリカバリ電流を抑制する。
講演要旨(pdf、会員のみ