講演者名 : ○柳澤佑太,三浦友史(大阪大学),半田浩之,上田哲三(パナソニック株式会社), 伊瀬敏史(大阪大学)
講演題目 : Φ2級インバータ回路を用いた絶縁型DC-DCコンバータに関する基礎検討
(JIPE-43-07)
Abstract : 近年、ワイドバンドギャップ半導体デバイスの1種であるGaN-HFETの開発および適用が進んでいる。GaN-HFETは高速動作に優れており、スイッチング周波数の向上による電力変換器の性能向上が実現可能である。本項では、共振形電力変換回路であるΦ2級インバータ回路に対してGaN-HFETを適用し、スイッチング周波数13.56MHzにおいて絶縁形DC-DCコンバータとして動作させた場合の基礎検討について述べる。
講演資料(pdf、会員のみ