概　要：
　本講習会では、近年、新たなプロセス技術で高性能化・高機能化の進化をみせている多彩な最新パワー半導体について、第一線の研究・開発で活躍されている講師の先生方に、その特長と使い方から将来動向までわかりやすくかつ詳しく解説して頂きます。
　 パワーエレクトロニクス関連の研究・開発・設計に従事しておられる会員の皆様に、極めて有意義な講習会と確信しております。多数のご参加をお待ちしております。

日　時：1998（平成 10）年 11 月 14 日（土）　10:00〜17:00
場　所：中央電気倶楽部 511 号室
　　　　 （〒530-0004 大阪市北区堂島浜 2-1-25　TEL (06)345-6351）

プログラム

司　会：入江 寿一（大阪電気通信大学）

(1) 「最新パワー半導体デバイスの動向」（10:10〜11:05）
講師：桜井 健弥 氏（富士電機）

(2) 「IGBTs の特長とその使い方」（11:05〜12:00）
講師：桜井 健弥 氏（富士電機）

−−−− 休憩 (12:00〜13:00)−−−−

司　会：荻原 義也（日新電機）

(3) 「最新パワー MOSFET の特長と使い方」（13:00〜13:55）
講師：福持 泰明 氏（三菱電機）

(4) 「最新の IPM 化技術とその適用例」（13:55〜14:50）
講師：森　敏　氏（三菱電機）

−−−− 休憩 (14:50〜15:05)−−−−

司　会：森本 慶樹（ダイヘン）

(5) 「最新パワー IC の技術と適用例」（15:05〜16:00）
講師：中川 明夫 氏（東　　芝）

(6) 「最新の高速ダイオードの特徴とその使い方」（16:00〜16:55）
講師：土江 康夫 氏（三社電機）


参加費：
正 会 員 5,000 円
学生会員 3,000 円
非 会 員 10,000 円
（テキストのみ購入は 2,500 円）

賛助会員の特典：
(1) 1 口につき 1 名が正会員扱いの参加費で参加頂けます。
(2) テキスト 1 冊が講習会終了後、無料で配布されます。
定　員：100 名

申込方法：
E-Mailで
パワーエレクトロニクス研究会第 13 回専門講習会参加申込
氏名
会員種別
所属
TEL・FAX・E-Mail
をご記入の上、庶務幹事までお送り下さい。

申込期限：1998（平成 10）年 10 月 21 日（水）
　　　　　 （講習会は既に終了しました。多数ご参加いただきありがとうございました。）

参加費支払方法：当日会場でお支払い下さい。
（会員の方は振込用紙を案内状と共にお送りしておりますのでご利用下さい）

その他：お申し込み頂いた方には、折り返し、確認状を FAX または E-mail で送付させて頂きます。 万一 1 週間以内に届かない場合は、庶務幹事までご連絡を頂きますようお願い申し上げます。